第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后ღ✿◈，迅速发展起来的宽禁带半导体材料ღ✿◈。随着“碳达峰ღ✿◈、碳中和”战略的推进实施ღ✿◈，绿色ღ✿◈、低碳ღ✿◈、清洁能源等技术将加速应用全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展ღ✿◈。2023年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值155亿元全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈，其中ღ✿◈，SiCღ✿◈、GaN功率电子产值规模85.4亿元ღ✿◈，GaN微波射频产值70亿元ღ✿◈。2024年ღ✿◈，我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值约168亿元ღ✿◈，其中龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈，SiCღ✿◈、GaN功率电子产值规模约95亿元ღ✿◈，GaN微波射频产值约73亿元ღ✿◈。随着人工智能ღ✿◈、数据中心ღ✿◈、汽车电子等应用领域的快速发展ღ✿◈，行业正迎来前所未有的发展机遇ღ✿◈。

　　关键词ღ✿◈：第三代半导体材料市场规模ღ✿◈、第三代半导体材料市场竞争格局ღ✿◈、第三代半导体材料行业发展前景

　　半导体材料是一类具有半导体性能龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料ღ✿◈。而第三代半导体材料主要是指以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的宽禁带半导体材料龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈，具有禁带宽度大ღ✿◈、临界磁场高ღ✿◈、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质ღ✿◈，适用于高压ღ✿◈、高频ღ✿◈、高温的应用场景ღ✿◈，如新能源车龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈、可再生能源全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈、5G通信等ღ✿◈。

　　第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈，迅速发展起来的宽禁带半导体材料ღ✿◈。它是通过材料性能跃迁推动电力电子系统效率提升（如SiC逆变器使电动车续航增加5%-10%）ღ✿◈，是未来十年全球科技竞争的战略制高点ღ✿◈，中国在该领域的产能扩张与关键技术突破正加速改写全球产业格局ღ✿◈。

　　目前ღ✿◈，SiC和GaN是第三代半导体材料研发较为成熟的材料ღ✿◈。SiC具有高临界磁场ღ✿◈、高电子饱和速度与极高热导率等特点ღ✿◈，使得其器件适用于高频高温的应用场景ღ✿◈，相较于硅器件ღ✿◈，可以显著降低开关损耗全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈。因此ღ✿◈，SiC可以制造高耐压ღ✿◈、大功率电力电子器件如MOSFET龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈、IGBTღ✿◈、SBD等ღ✿◈，用于智能电网ღ✿◈、新能源汽车等行业ღ✿◈。与硅元器件相比ღ✿◈，GaN具有高临界磁场ღ✿◈、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点ღ✿◈，是超高频器件的极佳选择ღ✿◈，适用于5G通信ღ✿◈、微波射频等领域的应用ღ✿◈。

　　近年来ღ✿◈，全球SiC和GaN材料的市场规模呈现逐年增长趋势ღ✿◈，2023年全球SiC和GaN的整体市场规模约43亿美元ღ✿◈。在混合动力和电动汽车ღ✿◈、电源和光伏逆变器等需求的推动下ღ✿◈，2024年ღ✿◈，全球SiC和GaN功率半导体市场规模约为50亿美元ღ✿◈。

　　第三代半导体技代表了新一代半导体技术的发展方向ღ✿◈。近年来ღ✿◈，在国家政策持续支持ღ✿◈、技术创新加速的推动下ღ✿◈，我国半导体产业整体向好全球昨日新增确诊超34万例ღ✿◈，尤其是第三代半导体技术ღ✿◈。随着“碳达峰ღ✿◈、碳中和”战略的推进实施ღ✿◈，绿色ღ✿◈、低碳ღ✿◈、清洁能源等技术将加速应用ღ✿◈，第三代半导体材料作为实现高效电能转换技术的重要支撑获得快速发展ღ✿◈。

　　初步核算ღ✿◈，2023年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值155亿元ღ✿◈。其中ღ✿◈，SiCღ✿◈、GaN功率电子产值规模达85.4亿元ღ✿◈，GaN微波射频产值为70亿元ღ✿◈；2024年我国第三代半导体功率电子和微波射频两个领域实现总产值大约168亿元ღ✿◈。其中ღ✿◈，SiCღ✿◈、GaN功率电子产值规模约95亿元GaN微波射频产值约73亿元ღ✿◈。

　　注ღ✿◈：本文节选出自智研咨询发布的《2025年中国第三代半导体材料行业整体发展形势及未来趋势研判ღ✿◈：行业正迎来发展机遇龙8游戏唯一官方网站ღ✿◈，龙头企业竞争力增强ღ✿◈，国产化率提升[图]》行业分析文章ღ✿◈，如需获取行业文章全部内容ღ✿◈，可进入智研咨询官网搜索查看ღ✿◈。

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